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金属蚀刻的加工过程:

1，金属蚀刻工艺流程一：

每件金属钣，上下两面，均要干净，除油，因为任何不洁表面均影响黏膜贴在金属之可靠性。

清洁后之金属两面再贴上干膜，(Photo-resist)(此光反应材料曝光于某光波段之光线中会塑性化，并产生对无机体溶液如酸液类防蚀作用)。

2，金属蚀刻流程之二：曝光

然后，双面蚀刻金属钣需小心夹放于两层照相负片(光工具)中，而单面蚀刻则需放于光工具之下。利用加压或抽真空把之夹紧，存放在适当光线中曝光，此举令曝露之黏膜塑化，黏膜对化学光(ActinicLight)是有反应，惟在黄色光线，反应甚微，曝光时间长短视乎光源强弱，黏膜剂种类等因素而定。

光工具工艺从用放大倍数比例绘制图案草稿开始，把尺寸准确校正，再缩回原比例，此举为便于控制尺寸精度，根据图样制造一底一面负片，再把金属钣牢牢夹于其中，若工件尺寸细小，要求在特定面积金属钣上蚀出若干件数时，可采用重迭排放机把影像重复摄制在负片上。至于上下负片如何保证校正影像，便是此工艺之窍门。

3，金属蚀刻之三：显影冲洗

影像显影工作是通过浸涤或涂喷特定显影剂，显影剂把曝光部份之黏膜溶解，剩下塑化部份。

4，金属蚀刻之四：烘干：显影后之金属钣经*二次烘干。

5，金属蚀刻之五：蚀刻　　金属板放入蚀刻机中把显影后露出金属之部份蚀刻，干膜部份受保护，不获蚀刻。此工序是整个生产制程是重要的工序之一。

腐蚀剂有多种种类，例如氯化铁，HF和水之混合物便是应付钢和合金铜的腐蚀剂，某些金属是需用碱性的腐蚀剂。

金属蚀刻的缺陷：当金属面受蚀刻时，其黏膜边位置亦会稍微凹陷，故蚀刻出来之剪切边并不是百分一百垂直的。所以蚀刻后之尺寸是跟影像尺寸略有些微差别，外围尺寸缩而内围尺寸扩大，内尖角位置是会变成小圆角，这些毛病是要经过矫正后方后达至预期之精密度，另外矫正尺寸变化亦可在预留图案草稿中进行。当然，重要因素还是倚靠累积经验，才能控制准确精密度。

6，金属蚀刻工艺流程之六：剥脱、清洗、晒干

清除蚀刻后钢片上的干膜，清洗再烘干，整个蚀刻工艺流程完成！

兴之扬金属蚀刻网片小编给大家介绍湿式蚀刻过程可分为三个步骤：

1)化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2)蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3)反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行较慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。

大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻铝、硅时即是利用此种化学反应方式。

兴之扬蚀刻不锈钢网片小编来向大家说说电浆干法蚀刻中的基本物理及化学现象：

在干法蚀刻中，随着制程参数及电浆状态的改变，可以区分为两种较端的性质的蚀刻方式，即纯物理性蚀刻与纯化学反应性蚀刻。纯物理性蚀刻可视为一种物理溅镀(Sputter)方式，它是利用辉光放电，将气体如Ar，解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出。此过程乃完全利用物理上能量的转移，故谓之物理性蚀刻。其特色为离子撞击拥有很好的方向性，可获得接近垂直的蚀刻轮廓。但缺点是由于离子是以撞击的方式达到蚀刻的目的，因此光阻与待蚀刻材料两者将同时遭受蚀刻，造成对屏蔽物质的蚀刻选择比变差，同时蚀刻终点必须精准掌控，因为以离子撞击方式蚀刻对于底层物质的选择比很低。且被击出的物质往往非挥发性物质，而这些物质容易再度沉积至被蚀刻物薄膜的表面或侧壁。加上蚀刻效率偏低，因此，以纯物理性蚀刻方式在集成电路制造过程中很少被用到。

纯化学反应性蚀刻，则是利用电浆产生化学活性较强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待蚀刻物质的表面，并与待蚀刻物质反应产生挥发性之反应生成物，并被真空设备抽离反应腔。因此种反应完全利用化学反应来达成，故谓之化学反应性蚀刻。此种蚀刻方式相近于湿式蚀刻，只是反应物及产物的状态由液态改变为气态，并利用电浆来促进蚀刻的速率。因此纯化学反应性蚀刻拥有类似于湿式蚀刻的优点及缺点，即高选择比及等向性蚀刻。在半导体制程中纯化学反应性蚀刻应用的情况通常为不需做图形转换的步骤，如光阻的去除等。